Réalisation de couches Si contraintes en tension sur des structures SGOI
| dc.contributor.author | GUELLIL Imène | |
| dc.contributor.author | BENOUDIA Mohamed Cherif (Encadrant) | |
| dc.date.accessioned | 2025-03-12T09:13:20Z | |
| dc.date.available | 2025-03-12T09:13:20Z | |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.description.abstract | Le stage consiste en un développement d’un procédé combinant épitaxies Si et Ge, oxydations et recuits pour obtenir du SiGe sur oxyde (SGOI) puis pouvoir réaliser cette épitaxie de silicium tendu sur le SGOI ainsi obtenu. C’est une étude menée dans le cadre d’une collaboration avec la société X- Fab qui est l’un des acteurs majeurs de l’industrie des semi-conducteurs au niveau mondial. Le travail de développement se fera en partie sur échantillons de petite taille et en partie sur des wafers de 200 mm et consistera donc en une partie élaboration (épitaxie, recuits, oxydation, traitement chimiques) et une partie caractérisation visant à contrôler les paramètres des substrats obtenus (ellipsométrie, AFM, microscopie électronique à balayage et en transmission, analyse de contraintes dans les couches minces). | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.ensti-annaba.dz:4000/handle/123456789/426 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.publisher | ECOLE NATIONALE SUPERIEURE DES MINES ET DE LA METALLURGIE-ANNABA | |
| dc.title | Réalisation de couches Si contraintes en tension sur des structures SGOI | |
| dc.type | Thesis |