Multiplication de dislocations et leurs interactions avec les défauts étendus lors de la solidification dirigée du silicium
| dc.contributor.author | DORBANI Rihem | |
| dc.contributor.author | BENOUDIA Mohamed Cherif (Encadrant) | |
| dc.date.accessioned | 2024-12-16T08:36:45Z | |
| dc.date.available | 2024-12-16T08:36:45Z | |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.description.abstract | Le silicium est le matériau le plus utilisé dans le secteur photovoltaïque [1]. Cependant, sa méthode de production doit être améliorée pour obtenir la performance souhaitée et un coût de production raisonnable. La méthode Cast-mono permet d’obtenir une structure quasi monocristalline à un coût réduit par rapport aux autres techniques. L’inconvénient de cette dernière est la génération de défauts pendant l’étape d’élaboration des lingots, principalement des défauts étendus tels que dislocations à cause de la désorientation des germes monocristallins de Chokralski utilisés au fond du creuset dans ce procédé. Lors de mon stage de master, j’ai étudié la solidification d’un échantillon de silicium issu de la méthode Cast-mono en utilisant une approche unique pour comprendre la dynamique des dislocations et leur interaction avec les défauts étendus, tels que les joints de grains (JDG), les sous-joints et l’interface solide-liquide (s/l). L’originalité de ce travail réside dans la corrélation de deux méthodes in-situ (imagerie par diffraction de Bragg : topographie et la radiographie) pendant la solidification et d’une méthode ex-situ (Electron Backscatter Diffraction : EBSD). La corrélation de ces trois techniques nous permet d’améliorer notre compréhension sur la multiplication de dislocations et leurs interactions avec les défauts étendus lors de la solidification dirigée du silicium. Le joint de grains aléatoire (RAGB) se comporte comme une source et un puits de dislocations, influençant leur distribution. Les images topographiques révèlent l’apparition des boucles de dislocations, et l’EBSD montre des zones de forte distorsion près des joints de macle, confirmant leur rôle dans la dynamique des dislocations. Ces observations permettent d'optimiser la solidification du silicium, de réduire les défauts et d'améliorer la performance des cellules photovoltaïques. | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.ensti-annaba.dz:4000/handle/123456789/357 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.publisher | ECOLE NATIONALE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE ET D’INGENIERIE - ANNABA | |
| dc.title | Multiplication de dislocations et leurs interactions avec les défauts étendus lors de la solidification dirigée du silicium | |
| dc.type | Thesis |