Interaction between dislocations and grain boundaries in silicon.

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dc.contributor.authorLAOUABDIA SELLAMI Abdel Moiz
dc.contributor.authorBENOUDIA Mohamed Cherif (Encadrant)
dc.contributor.authorMANGELINCK N. (Encadrant)
dc.date.accessioned2024-05-22T09:19:53Z
dc.date.available2024-05-22T09:19:53Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractL’utilisation du silicium dans le secteur photovoltaïque est dominante [1], cependant, sa méthode de production doit sans cesse être améliorée pour obtenir la performance souhaitée et un cout de production acceptable. La méthode Cast-mono permet d’obtenir une structure quasi monocristalline à un coût réduit par rapport aux autres techniques, l’inconvénient de cette dernière est la génération de défauts pendant l’étape d’élaboration des lingots, principalement de dislocations à cause de la désorientation des germes monocristallins utilisés au fond du creuset dans ce procédé. Au cours de cette dissertation, nous avons étudié la solidification de 4 échantillons de silicium issus de la méthode Cast-mono en utilisant une approche unique pour comprendre la dynamique des dislocations et leur interaction avec les défauts bidimensionnels, tels que les joints de grains (JDG), les sous-joints et l’interface solide-liquide (s/l). L’originalité de ce travail réside dans la corrélation d’une méthode in-situ (imagerie par diffraction de Bragg : topographie) pendant la solidification et d’une méthode ex-situ (Electron Backscatter Diffraction : EBSD). La corrélation de ces deux techniques nous permet d’améliorer notre compréhension des phénomènes de germination et d’interaction de défauts étendus pendant la solidification dirigée du silicium. Pendant la montée en température, la germination des dislocations au niveau des bords est observée ce qui peut être la conséquence de découpe. Les dislocations se déplacent perpendiculairement à l'interface s/l pendant la solidification, certaines se déplacent également horizontalement en raison des contraintes thermomécaniques appliquées pendant la solidification dirigée. Différentes sources de dislocations sont observées près des joints de grains. Les dislocations peuvent traverser de grandes distances dans les plans de glissement, sans être apparemment affectées par les joints de grains Σ3.
dc.identifier.uri http://dspace.ensti-annaba.dz:4000/handle/123456789/130
dc.language.isofr
dc.publisherEcole Nationale Superieure de Technologie et d'Ingénierie. Annaba (Ex ENSMM)
dc.titleInteraction between dislocations and grain boundaries in silicon.
dc.typeThesis
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